点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
典型关闭延迟时间:60 ns
工厂包装数量:100
上升时间:25 ns
功率耗散:1.81 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :19.2 S
下降时间:25 ns
包装形式:Tube
封装形式:TSSOP-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual Dual Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.017 Ohms
漏极连续电流:7 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTQD6968N的详细信息,包括NTQD6968N厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!