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NTP5862NG

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 TO-220
数量：
 7155  
说明：
 MOSFET 60V T2 TO220
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NTP5862NG PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns
上升时间：70 ns
功率耗散：115 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：82 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：18 S
下降时间：60 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220 AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.7 mOhms
漏极连续电流：98 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：ON Semiconductor

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