点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
典型关闭延迟时间:82 ns, 40 ns
工厂包装数量:50
上升时间:70 ns, 20 ns
功率耗散:214 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :20 S
下降时间:88 ns, 24 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220AB
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.068 Ohms
漏极连续电流:30 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTP30N20的详细信息,包括NTP30N20厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!