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NTMS4101PR2

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 8-SOIC
数量：
 7551  
说明：
 MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
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NTMS4101PR2-8-SOIC图片

NTMS4101PR2 PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C19 毫欧 @ 6.9A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)20V
Id 时的 Vgs(th)（最大）450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs32nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.9A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 3200pF @ 10V
功率 - 最大1.38W
安装类型表面贴装

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