NTMFS5C646NT1G

厂家：: onsemi
封装：: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
数量：: 1890
说明：: MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN

一、本商品被浏览0次.

NTMFS5C646NT1G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），79W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1500 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：19.2 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 80μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 16A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta），93A（Tc）
漏源电压（Vdss）：60 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：onsemi

以上是NTMFS5C646NT1G的详细信息，包括NTMFS5C646NT1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：