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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:28.9 ns
工厂包装数量:1500
上升时间:48.5 ns
功率耗散:5.95 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:12.2 ns
包装形式:Reel
封装形式:SO-8 FL
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Dual Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0029 Ohms
漏极连续电流:35.5 A
闸/源击穿电压:+/- 16 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
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