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中文参数如下:
上升时间:24 ns
功率耗散:2.74 W
栅极电荷 Qg:40.2 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :90 S
下降时间:13 ns
包装形式:Reel
封装形式:SO-8 FLAT
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 85 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.3 mOhms
漏极连续电流:29 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:ON Semiconductor
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