首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > NTMD2C02R2G

NTMD2C02R2G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 8-SOIC
数量：: 6561
说明：: MOSFET 20V 5.2A Complementary

一、本商品被浏览0次.

NTMD2C02R2G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：45 ns, 35 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：50 ns, 40 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：3 S
下降时间：80 ns, 35 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：43 mOhms, 100 mOhms
漏极连续电流：5.2 A, - 3.4 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：+/- 20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTMD2C02R2G的详细信息，包括NTMD2C02R2G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：