NTLJS1102PTAG

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 6-WDFN（2x2）
数量：: 6327
说明：: MOSFET PFET WDFN6 8V 8.1A 36mOhm

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：80 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：41 ns
功率耗散：3.3 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：14.3 S
下降时间：70 ns
包装形式：Reel
封装形式：WDFN-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：80 mOhms
漏极连续电流：6.2 A
闸/源击穿电压：+/- 6 V
汲极/源极击穿电压：- 8 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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