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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:11.1 ns at N Channel, 13.7 ns at P Channel
工厂包装数量:3000
上升时间:4.7 ns at N Channel, 13.2 ns at P Channel
功率耗散:0.71 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :4.2 S, 3.1 S
下降时间:4.7 ns at N Channel, 13.2 ns at P Channel
包装形式:Reel
封装形式:506AN
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):37 m Ohms, 75 m Ohms
漏极连续电流:3.8 A, - 3.3 A
闸/源击穿电压:+/- 8 V
汲极/源极击穿电压:20 V, - 20 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
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