NTJD1155LT1G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SC-88/SC70-6/SOT-363
数量：: 67407
说明：: MOSFET 8V +/-1.3A P-Channel w/Level Shift

一、本商品被浏览0次.

NTJD1155LT1G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：3000
功率耗散：0.4 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SC-88
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.26 Ohms
漏极连续电流：+/- 1.3 A
闸/源击穿电压：1 V
汲极/源极击穿电压：- 8 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTJD1155LT1G的详细信息，包括NTJD1155LT1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：