NTHD3100CT1

厂家：: ON Semiconductor
封装：: ChipFET?
数量：: 4680
说明：: MOSFET 20V +3.9A/-4.4A

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NTHD3100CT1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：9.6 ns at N Channel, 16 ns at P Channel
工厂包装数量：3000
上升时间：10.7 ns at N Channel, 11.7 ns at P Channel
功率耗散：1.1 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：6 S, 8 S
下降时间：10.7 ns at N Channel, 11.7 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：ChipFET-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：58 mOhms, 64 mOhms
漏极连续电流：3.9 A, - 4.4 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V, +/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V, - 20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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