NTGS5120PT1G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 6-TSOP
数量：: 4563
说明：: MOSFET PFET TSOP6 60V 2.5A 110mOhm

一、本商品被浏览0次.

NTGS5120PT1G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：38 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：4.9 ns
功率耗散：1400 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：4.9 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSOP-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：111 mOhms
漏极连续电流：2.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTGS5120PT1G的详细信息，包括NTGS5120PT1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：