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NTGD3149CT1G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 6-TSOP
数量：: 4212
说明：: MOSFET COMP TSOP6 20V 3A TR

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NTGD3149CT1G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：16.4 nS, 33.3 nS
上升时间：3.8 nS, 5.3 nS
功率耗散：900 mW
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：4.6 nC, 5.2 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：4.7 S, 5.1 S
下降时间：2.4 nS, 29.5 nS
包装形式：Reel
封装形式：TSOP-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：60 mOhms at 4.5 V, 110 mOhms at - 4.5 V
漏极连续电流：3.5 A, - 2.7 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：+/- 20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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