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NTGD1100LT1G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
数量：: 4158
说明：: MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift

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NTGD1100LT1G PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
功率耗散：8.3 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TSOP
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Common Drain Gate
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.08 Ohms
漏极连续电流：+/- 3.3 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：8 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTGD1100LT1G的详细信息，包括NTGD1100LT1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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