首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > NTD6600N-1G

NTD6600N-1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 I-PAK
数量：
 3195  
说明：
 MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
NTD6600N-1G-I-PAK图片

NTD6600N-1G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C146 毫欧 @ 6A, 5V
漏极至源极电压(Vdss)100V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 700pF @ 25V
功率 - 最大1.28W
安装类型通孔

以上是NTD6600N-1G的详细信息，包括NTD6600N-1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPB100N04S303ATMA1
  • SQJ138ELP-T1_GE3
  • SI7157DP-T1-GE3
  • NVMFS5C456NT1G
  • SPW15N60CFDFKSA1
  • RJK0853DPB-00#J5
  • NP45N06PUK-E1-AY
  • SIR184LDP-T1-RE3
  • RD3L150SNFRATL
  • NVTFS5C454NLWFTAG

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC