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NTD4809N-1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
数量：
 1899  
说明：
 MOSFET NFET 30V 58A 9MOHM
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NTD4809N-1G-TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA图片

NTD4809N-1G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：15.1 ns, 25.3 ns
工厂包装数量：75
上升时间：21.3 ns, 22.7 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：9 S
下降时间：5.3 ns, 2.8 ns
包装形式：Rail
封装形式：IPAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：9 mOhms
漏极连续电流：11.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD4809N-1G的详细信息，包括NTD4809N-1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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