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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:14 ns, 22 ns
工厂包装数量:75
上升时间:20 ns, 18 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:5 ns, 3 ns
包装形式:Rail
封装形式:IPAK
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.009 Ohms
漏极连续电流:11.5 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
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