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NTD3808N-35G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 TO-251-3 短截引线，IPak
数量：
 1539  
说明：
 MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
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NTD3808N-35G-TO-251-3 短截引线，IPak图片

NTD3808N-35G PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C5.8 毫欧 @ 15A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)16V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1660pF @ 12V
功率 - 最大1.3W
安装类型通孔

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