NTD3808NT4G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
数量:
 1548  
说明:
 MOSFET N-CH 16V 12A DPAK
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中文参数如下:
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.8 毫欧 @ 15A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)16V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1660pF @ 12V
功率 - 最大1.3W
安装类型表面贴装

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