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NTD18N06LG

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 DPAK
数量：
 621  
说明：
 MOSFET 60V 18A N-Channel
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NTD18N06LG PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：19 ns
工厂包装数量：75
上升时间：79 ns
功率耗散：55 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：13.5 S
下降时间：38 ns
包装形式：Tube
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.054 Ohms
漏极连续电流：18 A
闸/源击穿电压：+/- 15 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD18N06LG的详细信息，包括NTD18N06LG厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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