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NTD12N10-1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 I-PAK
数量：
 387  
说明：
 MOSFET 100V 12A N-Channel
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NTD12N10-1G-I-PAK图片

NTD12N10-1G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：22 ns
工厂包装数量：75
上升时间：30 ns
功率耗散：56.6 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：7 S
下降时间：32 ns
包装形式：Tube
封装形式：DPAK-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.165 Ohms
漏极连续电流：12 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是NTD12N10-1G的详细信息，包括NTD12N10-1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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