NTB52N10

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 D2PAK
数量:
 3033  
说明:
 MOSFET 100V 52A N-Channel
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NTB52N10 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:74 ns
工厂包装数量:50
上升时间:95 ns
功率耗散:178 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :31 S
下降时间:100 ns
包装形式:Tube
封装形式:D2PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.03 Ohms
漏极连续电流:52 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

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