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NTB52N10

厂家：: ON Semiconductor
封装：: D2PAK
数量：: 3033
说明：: MOSFET 100V 52A N-Channel

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NTB52N10 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：74 ns
工厂包装数量：50
上升时间：95 ns
功率耗散：178 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：31 S
下降时间：100 ns
包装形式：Tube
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.03 Ohms
漏极连续电流：52 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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