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NTB30N20T4G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: D2PAK
数量：: 5166
说明：: MOSFET 200V 30A N-Channel

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NTB30N20T4G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：40 ns, 82 ns
工厂包装数量：800
上升时间：20 ns, 70 ns
功率耗散：214 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：20 S
下降时间：24 ns, 88 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.068 Ohms
漏极连续电流：30 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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