NTB30N20T4G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 D2PAK
数量:
 5166  
说明:
 MOSFET 200V 30A N-Channel
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NTB30N20T4G PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:40 ns, 82 ns
工厂包装数量:800
上升时间:20 ns, 70 ns
功率耗散:214 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :20 S
下降时间:24 ns, 88 ns
包装形式:Reel
封装形式:D2PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.068 Ohms
漏极连续电流:30 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是NTB30N20T4G的详细信息,包括NTB30N20T4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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