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NTB13N10T4G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: D2PAK
数量：: 4878
说明：: MOSFET 100V 13A N-Channel

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NTB13N10T4G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：20 ns
工厂包装数量：800
上升时间：40 ns
功率耗散：64.7 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：6 S
下降时间：36 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.165 Ohms
漏极连续电流：13 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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