NSTB1005DXV5T1G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SOT-553
数量：: 4041
说明：: 两极晶体管 - BJT 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP

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NSTB1005DXV5T1G PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：4000
包装形式：Reel
最大功率耗散：357 mW
直流电流增益 hFE 最大值：80 at 5 mA at 10 V at NPN
集电极连续电流：0.1 A
封装形式：SOT-553-5
安装风格：SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min：80 at 5 mA at 10 V
集电极—射极饱和电压：50 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
集电极—基极电压 VCBO：50 V
晶体管极性：PNP
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

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