NST847BPDP6T5G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SOT-963
数量：: 11631
说明：: 两极晶体管 - BJT DUAL COMP GP TRANS SOT963

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NST847BPDP6T5G PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：8000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：420 mW
直流电流增益 hFE 最大值：200 at 2 mA at 5 V
封装形式：SOT-963
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：200 at 2 mA at 5 V at NPN, 220 at 2 mA at 5 V at PNP
增益带宽产品fT：100 MHz
最大直流电集电极电流：0.1 A
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：45 V
集电极—基极电压 VCBO：50 V
晶体管极性：NPN/PNP
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：ON Semiconductor

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