NSM11156DW6T1G

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中文参数如下：

晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V, 65V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）：10K
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：10K
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止（最大）：500nA
频率 - 转换：-
功率 - 最大：230mW
安装类型：表面贴装

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