NSM21356DW6T1G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 SC-88/SC70-6/SOT-363
数量:
 8523  
说明:
 TRANS PNP/NPN MONO BIAS SOT-363
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NSM21356DW6T1G PDF参数资料

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中文参数如下:

晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V, 65V
电阻器 - 基极 (R1)(欧):47K
电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47K
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大):500nA
频率 - 转换:-
功率 - 最大:230mW
安装类型:表面贴装

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