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NE856M02-AZ

厂家：
  CEL
封装：
 SOT-89
数量：
 6894  
说明：
 射频双极小信号晶体管 NPN Low Distort Amp
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NE856M02-AZ PDF参数资料

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中文参数如下：

安装风格：SMD/SMT
封装形式：M02
直流集电极/Base Gain hfe Min：250
功率耗散：1.2 W
集电极连续电流：0.1 A
发射极 - 基极电压 VEBO：3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：12 V
晶体管极性：NPN
配置：Single
RoHS：是
产品种类：射频双极小信号晶体管
制造商：CEL

以上是NE856M02-AZ的详细信息，包括NE856M02-AZ厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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