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NDS9952A

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: 8-SOIC
数量：: 2043
说明：: MOSFET SO-8 N&P-CH ENHANCE

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NDS9952A PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：NDS9952A_NL
典型关闭延迟时间：21 ns, 21 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：13 ns, 21 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：6 S, 4 S
下降时间：5 ns, 8 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.08 Ohms
漏极连续电流：3.7 A, - 2.9 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：+/- 30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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