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NDS356AP_L99Z

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SOT-23
数量：
 2142  
说明：
 MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode
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NDS356AP_L99Z PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：53 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：17 ns
功率耗散：0.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：17 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.3 Ohms
漏极连续电流：1.1 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDS356AP_L99Z的详细信息，包括NDS356AP_L99Z厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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