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NDS335N_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 SOT-23
数量：
 2088  
说明：
 MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
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NDS335N_Q PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：28 ns
上升时间：29 ns
功率耗散：0.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：29 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.14 Ohms
漏极连续电流：1.7 A
闸/源击穿电压：8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是NDS335N_Q的详细信息，包括NDS335N_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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