NCV1413BDR2

厂家：: ON Semiconductor
封装：: SOIC-16
数量：: 4113
说明：: 达林顿晶体管 High Voltage High

一、本商品被浏览0次.

NCV1413BDR2 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：2500
最小工作温度：- 40 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：1000
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-16
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 125 C
最大直流电集电极电流：0.5 A
集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
晶体管极性：NPN
配置：Array 7
RoHS：否
产品种类：达林顿晶体管
制造商：ON Semiconductor

以上是NCV1413BDR2的详细信息，包括NCV1413BDR2厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块