NCV1413BDR2G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 16-SOIC
数量:
 1059  
说明:
 达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington
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NCV1413BDR2G PDF参数资料

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中文参数如下:
认证机构:
封装封装/外壳:16-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
安装类型:表面贴装型
工作温度:150°C(TJ)
频率 - 跃迁:-
功率 - 最大值:-
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V
电流 - 集电极截止(最大值):-
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 500μA,350mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA
晶体管类型:7 NPN 达林顿
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel 得捷定制卷带
品牌:onsemi

以上是NCV1413BDR2G的详细信息,包括NCV1413BDR2G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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