MTW32N20E

厂家：: ON Semiconductor
封装：: TO-247
数量：: 1413
说明：: MOSFET 200V 32A N-Channel

一、本商品被浏览0次.

MTW32N20E PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：75 ns
工厂包装数量：30
上升时间：120 ns
功率耗散：180 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：12 S
下降时间：91 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-247
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.075 Ohms
漏极连续电流：32 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是MTW32N20E的详细信息，包括MTW32N20E厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：