MTSF3N03HDR2G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: Micro-8
数量：: 2412
说明：: MOSFET NFET 30V 3A 40MO

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MTSF3N03HDR2G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：32 ns, 29 ns
工厂包装数量：4000
上升时间：19 ns, 11 ns
功率耗散：1.79 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：2 S
下降时间：19 ns, 11 ns
包装形式：Reel
封装形式：Micro-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：35 m Ohms
漏极连续电流：3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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