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中文参数如下：
FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C1 欧姆 @ 3A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)200V
Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 750pF @ 25V
功率 - 最大75W
安装类型通孔
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