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中文参数如下：
典型关闭延迟时间：41 ns
工厂包装数量：50
上升时间：98.3 ns
功率耗散：90 W
最小工作温度：- 40 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：11.5 S
下降时间：62 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.12 Ohms
漏极连续电流：23 A
闸/源击穿电压：+/- 15 V
汲极/源极击穿电压：- 60 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor
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