首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > MTD10N10ELT4

MTD10N10ELT4

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 DPAK
数量：
 873  
说明：
 MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
MTD10N10ELT4-DPAK图片

MTD10N10ELT4 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C220 毫欧 @ 5A, 5V
漏极至源极电压(Vdss)100V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1040pF @ 25V
功率 - 最大1.75W
安装类型表面贴装

以上是MTD10N10ELT4的详细信息，包括MTD10N10ELT4厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • NVTFS6H850NLTAG
  • SQJ446EP-T1_BE3
  • MSJU07N65A-TP
  • IPA70R450P7SXKSA1
  • DMT6004LPS-13
  • SQJ459EP-T1_GE3
  • AOD380A60
  • TK5R1A08QM,S4X
  • RD3G03BBGTL1
  • BUK9Y22-60ELX

    • 相近型号推荐

    • 暂无电子元件图

      MTD1110-4101

      马达/运动/点火控制器和驱动器 VCEO=80 IO=2 PT=5

    • 暂无电子元件图

      MTD1110-4102

      马达/运动/点火控制器和驱动器 VCEO=80 IO=2 PT=5

    • 暂无电子元件图

      MTD1110-4103

      马达/运动/点火控制器和驱动器 VCEO=80 IO=2 PT=5

    • 暂无电子元件图

      MTD1110-7101

      马达/运动/点火控制器和驱动器 VCEO=80 IO=2 PT=5

    • 暂无电子元件图

      MTD1110-7102

      马达/运动/点火控制器和驱动器 VCEO=80 IO=2 PT=5

    • 暂无电子元件图

      MTD1110-7103

      马达/运动/点火控制器和驱动器 VCEO=80 IO=2 PT=5

    • 暂无电子元件图

      MTD1120

      马达/运动/点火控制器和驱动器 Power IC

    • 暂无电子元件图

      MTD1120-4101

      马达/运动/点火控制器和驱动器 VCEO=80 IO=1.2 PT=5

    • 暂无电子元件图

      MTD1120-4102

      马达/运动/点火控制器和驱动器 VCEO=80 IO=1.2 PT=5

    • 暂无电子元件图

      MTD1120-4103

      马达/运动/点火控制器和驱动器 VCEO=80 IO=1.2 PT=5

    • 暂无电子元件图

      MTD1120-7101

      马达/运动/点火控制器和驱动器 VCEO=80 IO=1.2 PT=5

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC