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MTB30P06VT4G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 D2PAK
数量：
 747  
说明：
 MOSFET PFET D2PAK 60V 30A 80mOhm
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MTB30P06VT4G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：98 ns
工厂包装数量：800
上升时间：25.9 ns
功率耗散：3 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：7.9 S
下降时间：52.4 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.08 Ohms
漏极连续电流：30 A
闸/源击穿电压：+/- 15 V
汲极/源极击穿电压：- 60 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

以上是MTB30P06VT4G的详细信息，包括MTB30P06VT4G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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