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MSCSM70AM19T1AG

厂家：: Microchip Technology
封装：
数量：: 4686
说明：: PM-MOSFET-SIC-SP1F

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MSCSM70AM19T1AG PDF参数资料

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中文参数如下：
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封装封装/外壳：模块
安装类型：底座安装
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
功率 - 最大值：365W（Tc）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4500pF @ 700V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：215nC @ 20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 4mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：19 毫欧 @ 40A，20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：124A（Tc）
漏源电压（Vdss）：700V
FET 功能：-
配置：2 N 沟道（相角）
技术：碳化硅（SiC）
产品状态：在售
包装：-
系列：散装
品牌：Microchip Technology

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