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MRF555

厂家：
  Advanced Semiconductor, Inc.
封装：
 超大功率
数量：
 117  
说明：
 射频双极小信号晶体管 RF Transistor
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MRF555-超大功率图片

MRF555 PDF参数资料

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中文参数如下：

安装风格：SMD/SMT
最小工作温度：- 65 C
包装形式：Tray
封装形式：Case 317D-02
最大工作温度：+ 200 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：50
功率耗散：3 W
集电极连续电流：500 mA
发射极 - 基极电压 VEBO：3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：16 V
最大工作频率：470 MHz
晶体管极性：NPN
RoHS：是
制造商：Advanced Semiconductor, Inc.

以上是MRF555的详细信息，包括MRF555厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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