MRF555T

厂家:
  Advanced Semiconductor, Inc.
封装:
 超大功率
数量:
 126  
说明:
 射频双极小信号晶体管 RF Transistor
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MRF555T PDF参数资料

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中文参数如下:

安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 65 C
包装形式:Tray
封装形式:Case 317D-02
最大工作温度:+ 200 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:50
功率耗散:3 W
集电极连续电流:500 mA
发射极 - 基极电压 VEBO:3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:16 V
最大工作频率:470 MHz
晶体管极性:NPN
RoHS:是
制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

以上是MRF555T的详细信息,包括MRF555T厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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