MRF151G

厂家:
  M/A-COM Technology Solutions
封装:
 Case 375-04
数量:
 8747  
说明:
 射频MOSFET电源晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格 下单采购
一、本商品被浏览232次.   
MRF151G-Case 375-04图片

MRF151G PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
功率耗散:500 W
安装风格:SMD/SMT
最小工作温度:- 65 C
包装形式:Tray
封装形式:Case 375-04
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:+/- 40 V
漏极连续电流:40 A
汲极/源极击穿电压:125 V
输出功率:300 W
增益:14 dB
频率:175 MHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Dual
RoHS:是
制造商:M/A-COM Technology Solutions

以上是MRF151G的详细信息,包括MRF151G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • MRF151GB图片

    MRF151GB

    射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor

  • MRF1535FNT1图片

    MRF1535FNT1

    射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FET TO-272N

  • MRF1535NT1图片

    MRF1535NT1

    射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS FET TO-272N

  • MRF1550FNT1图片

    MRF1550FNT1

    射频MOSFET电源晶体管 LDMOS FET HI PWR TO272FN

  • MRF1550NT1图片

    MRF1550NT1

    射频MOSFET电源晶体管 LDMOS FET HI PWR TO272FN

  • MRF157图片

    MRF157

    射频MOSFET电源晶体管 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB

  • MRF1570FNT1图片

    MRF1570FNT1

    射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS TO272-6N FLAT

  • MRF1570NT1图片

    MRF1570NT1

    射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS TO272-6N FORMED

IC电子元件邮购步骤

电子元件 IC