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中文参数如下：
工厂包装数量：25
包装形式：Sleeve
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：2000 mW
封装形式：TO-116
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：50
增益带宽产品fT：200 MHz
最大直流电集电极电流：0.6 A
集电极—射极饱和电压：40 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V
集电极—基极电压 VCBO：60 V
晶体管极性：PNP
配置：Quad
RoHS：过渡期间
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor
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