点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
工厂包装数量:25
包装形式:Sleeve
最小工作温度:- 65 C
最大功率耗散:2500 mW
封装形式:TO-116
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:25
增益带宽产品fT:250 MHz
最大直流电集电极电流:1 A
集电极—射极饱和电压:40 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V
集电极—基极电压 VCBO:60 V
晶体管极性:NPN
配置:Quad
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Central Semiconductor
以上是MPQ3725的详细信息,包括MPQ3725厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!