MMSF7P03HDR2G

厂家:
  ON Semiconductor
封装:
 8-SOIC
数量:
 7605  
说明:
 MOSFET PFET SO8S 30V 7A 35mOhm
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MMSF7P03HDR2G PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:57.4 ns, 99.7 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:42.7 ns, 15.2 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :12 S
下降时间:53.6 ns, 55.2 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.035 Ohms
漏极连续电流:7 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:- 30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor

以上是MMSF7P03HDR2G的详细信息,包括MMSF7P03HDR2G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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