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中文参数如下：
典型关闭延迟时间：54 ns, 110 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：135 ns, 40 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：7.2 S
下降时间：84 ns, 97 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.075 Ohms
漏极连续电流：5.6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor
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