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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:5 us
工厂包装数量:1
上升时间:3 us
功率耗散:40 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :1 S
下降时间:3 us
包装形式:Rail
封装形式:TO-220AB
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.4 Ohms
漏极连续电流:2 A
闸/源击穿电压:+/- 10 V
汲极/源极击穿电压:62 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
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